参数资料
型号: MMT08B310T3
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: THYRIST TSPD BIDIR 80A 310V SMB
产品变化通告: Product Discontinuation 20/Aug/2008
标准包装: 2,500
电压 - 击穿: 365V
电压 - 断路: 270V
电压 - 导通状态: 3V
电流 - 峰值脉冲(8 x 20µs): 250A
电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs): 80A
电流 - 保持 (Ih): 150mA
元件数: 1
电容: 50pF
封装/外壳: DO-214AA,SMB
包装: 带卷 (TR)
其它名称: MMT08B310T3OS
MMT08B310T3
PACKAGE DIMENSIONS
SMB
(No Polarity)
(Essentially JEDEC DO?214AA)
CASE 403C?01
ISSUE A
S
K
A
P
D
J
B
H
C
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. D DIMENSION SHALL BE MEASURED WITHIN
DIMENSION P.
INCHES MILLIMETERS
DIM MIN MAX MIN MAX
A 0.160 0.180 4.06 4.57
B 0.130 0.150 3.30 3.81
C 0.075 0.095 1.90 2.41
D 0.077 0.083 1.96 2.11
H 0.0020 0.0060 0.051 0.152
J 0.006 0.012 0.15 0.30
K 0.030 0.050 0.76 1.27
P 0.020 REF 0.51 REF
S 0.205 0.220 5.21 5.59
SOLDERING FOOTPRINT*
0.089
2.261
0.108
2.743
0.085
2.159
inches
mm
*For additional information on our Pb?Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
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PDF描述
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参数描述
MMT08B310T3_05 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD
MMT08B310T3G 功能描述:硅对称二端开关元件 80A Surge 310V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
MMT08B350T3 功能描述:硅对称二端开关元件 80A Surge 350V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
MMT08B350T3G 功能描述:硅对称二端开关元件 80A Surge 350V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
MMT100J224 制造商:Nissei Electronics 功能描述: