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参数资料
| 型号： | MPC5601PEF0VLL4 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 32-BIT, FLASH, 64 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP100 |
| 封装： | 14 X 14 MM, 1.40 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LQFP-100 |
| 文件页数： | 60/95页 |
| 文件大小： | 1694K |
| 代理商： | MPC5601PEF0VLL4 |
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MPC5602P Microcontroller Data Sheet, Rev. 4.1
Freescale Semiconductor
63
3.15
Flash memory electrical characteristics
3.15.1
Program/Erase characteristics
6 20 MHz ADC clock. Specific prescaler is programmed on MC_PLL_CLK to provide 20 MHz clock to the ADC.
7 See Figure 14.
Table 29. Program and erase specifications
Symbol
C
Parameter
Value
Unit
Min
Typ1
1 Typical program and erase times assume nominal supply values and operation at 25 °C. All times are subject to
change pending device characterization.
Initial
Max2
2 Initial factory condition: < 100 program/erase cycles, 25 °C, typical supply voltage.
Max3
3 The maximum program and erase times occur after the specified number of program/erase cycles. These maximum
values are characterized but not guaranteed.
Twprogram P Word Program Time for data flash memory4
4 Actual hardware programming times. This does not include software overhead.
—
30
70
500
s
—
22
50
500
s
TBKPRG
P Bank Program (256 KB)4,5
5 Typical Bank programming time assumes that all cells are programmed in a single pulse. In reality some cells will
require more than one pulse, adding a small overhead to total bank programming time (see “Initial Max” column).
—
0.73
0.83
17.5
s
P Bank Program (64 KB)4,5
—0.49
1.2
4.1
s
T16kpperase P 16 KB Block Pre-program and Erase Time for code
flash memory
—
300
500
5000
ms
16 KB Block Pre-program and Erase Time for data
flash memory
—
700
800
5000
T32kpperase P 32 KB Block Pre-program and Erase Time
—
400
600
5000
ms
T128kpperase P 128 KB Block Pre-program and Erase Time
—
800
1300
7500
ms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MB9BF504NPMC | 32-BIT, FLASH, 80 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP100 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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