参数资料
| 型号： | MR2A16ACMA35 |
| 厂商： | Everspin Technologies Inc |
| 文件页数： | 11/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 4MBIT 35NS 48BGA |
| 标准包装： | 348 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 4M (256K x 16) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-FBGA（8x8） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 819-1020 |
MR2A16A
Read Mode
Table 8 – Read Cycle Timing
Parameter 1
Read cycle time
Address access time
Enable access time 2
Output enable access time
Byte enable access time
Output hold from address change
Enable low to output active 3
Output enable low to output active 3
Byte enable low to output active 3
Enable high to output Hi-Z 3
Output enable high to output Hi-Z 3
Byte high to output Hi-Z 3
Symbol
t AVAV
t AVQV
t ELQV
t GLQV
t BLQV
t AXQX
t ELQX
t GLQX
t BLQX
t EHQZ
t GHQZ
t BHQZ
Min
35
-
-
-
-
3
3
0
0
0
0
0
Max
-
35
35
15
15
-
-
-
-
15
10
10
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Notes:
1. W is high for read cycle. Power supplies must be properly grounded and decoupled, and bus contention conditions must
be minimized or eliminated during read or write cycles.
2. Addresses valid before or at the same time E goes low.
3. This parameter is sampled and not 100% tested. Transition is measured ±200 mV from the steady-state voltage.
Figure 6 – Read Cycle 1
t AVAV
A (ADDRESS)
t AXQX
Q (DATA OUT)
Previous Data Valid
Data Valid
t AVQV
Note: Device is continuously selected (E ≤ V IL , G ≤ V IL ).
Figure 7 – Read Cycle 2
t AVAV
A (ADDRESS)
E (CHIP ENABLE)
G (OUTPUT ENABLE)
t AVQV
t ELQX
t ELQV
t EHQZ
LB, UB (BYTE ENABLE)
t GLQX
t GLQV
t GHQZ
Q (DATA OUT)
Copyright ? Everspin Technologies 2013
t BLQX
t BLQV
11
Data Valid
t BHQZ
MR2A16A Rev. 11, 10/2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MR2A08ACMA35 | IC MRAM 4MBIT 35NS 48BGA |
| MR2A08AYS35 | IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP |
| GCB90DHBN | CONN EDGECARD 180PS R/A .050 SLD |
| GCB90DHBD | CONN EDGECARD 180PS R/A .050 SLD |
| 10326-E2W0-008 | JUNCTION SHELL 26POS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MR2A16ACMA35R | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR2A16ACTS35C | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR2A16ACYS35 | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR2A16ACYS35R | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR2A16AMA35 | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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