参数资料
| 型号： | MR2A16ACMA35 |
| 厂商： | Everspin Technologies Inc |
| 文件页数： | 5/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 4MBIT 35NS 48BGA |
| 标准包装： | 348 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 4M (256K x 16) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-FBGA（8x8） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 819-1020 |
MR2A16A
Figure 2 – Pin Diagrams for Available Packages (Top View)
A
A
A
1
2
3
44
43
42
A
A
A
A
4
41
G
1
2
3
4
5
6
A
E
5
6
40
39
UB
LB
LB
G
A0
A1
A2
NC
A
DQL0
7
38
DQU15
DQL1
8
37
DQU14
DQU8
UB
A3
A4
E
DQL0
B
DQL2
9
36
DQU13
DQL3
10
35
DQU12
DQU9
DQU10
A5
A6
DQL1
DQL2
C
V DD
11
34
V SS
V SS
DQL4
DQL5
DQL6
DQL7
W
A
A
12
13
14
15
16
17
18
19
33
32
31
30
29
28
27
26
V DD
DQU11
DQU10
DQU9
DQU8
DC
A
A
V SS
V DD
DQU14
DQU15
DQU11
DQU12
DQU13
NC
A17
NC
A14
A12
A7
A16
A15
A13
DQL3
DQL4
DQL5
W
V DD
V SS
DQL6
DQL7
D
E
F
G
A
20
25
A
A
21
24
A
NC
A8
A9
A10
A11
DC
H
A
22
23
44-Pin TSOP Type2
A
48-Pin BGA
Table 2 – Operating Modes
E 1
H
G 1
X
W 1 LB 1 UB 1
X X X
Mode
Not selected
V DD Current
I SB1 , I SB2
DQL[7:0] 2
Hi-Z
DQU[15:8] 2
Hi-Z
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
L
L
L
X
X
X
H
X
H
H
H
L
L
L
X
H
L
H
L
L
H
L
X
H
H
L
L
H
L
L
Output disabled
Output disabled
Lower Byte Read
Upper Byte Read
Word Read
Lower Byte Write
Upper Byte Write
Word Write
I DDR
I DDR
I DDR
I DDR
I DDR
I DDW
I DDW
I DDW
Hi-Z
Hi-Z
D Out
Hi-Z
D Out
D in
Hi-Z
D in
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
D Out
D Out
Hi-Z
D in
D in
Notes:
1. H = high, L = low, X = don’t care
2. Hi-Z = high impedance
Copyright ? Everspin Technologies 2013
5
MR2A16A Rev. 11, 10/2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MR2A08ACMA35 | IC MRAM 4MBIT 35NS 48BGA |
| MR2A08AYS35 | IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP |
| GCB90DHBN | CONN EDGECARD 180PS R/A .050 SLD |
| GCB90DHBD | CONN EDGECARD 180PS R/A .050 SLD |
| 10326-E2W0-008 | JUNCTION SHELL 26POS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MR2A16ACMA35R | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR2A16ACTS35C | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR2A16ACYS35 | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR2A16ACYS35R | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR2A16AMA35 | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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