参数资料
| 型号： | MR2A16ACMA35 |
| 厂商： | Everspin Technologies Inc |
| 文件页数： | 9/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 4MBIT 35NS 48BGA |
| 标准包装： | 348 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 4M (256K x 16) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-FBGA（8x8） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 819-1020 |
MR2A16A
DC CHARACTERISTICS
Table 4 – DC Characteristics
Parameter
Input leakage current
Output leakage current
Output low voltage
(I OL = +4 mA)
(I OL = +100 μA)
Output high voltage
(I OH = -4 mA)
(I OH = -100 μA)
Symbol
I lkg(I)
I lkg(O)
V OL
V OH
Min
-
-
-
2.4
V DD - 0.2
Typical
-
-
-
-
Max
±1
±1
0.4
V SS + 0.2
-
Unit
μA
μA
V
V
Table 5 – Power Supply Characteristics
Parameter
AC active supply current - read modes 1
(I OUT = 0 mA, V DD = max)
AC active supply current - write modes 1
(V DD = max)
Commercial Grade
Industrial Grade
Extended Grade
AEC-Q100 Grade
AC standby current
(V DD = max, E = V IH )
no other restrictions on other inputs
CMOS standby current
(E ≥ V DD - 0.2 V and V In ≤ V SS + 0.2 V or ≥ V DD - 0.2 V)
(V DD = max, f = 0 MHz)
Symbol
I DDR
I DDW
I SB1
I SB2
Typical
55
105
105
105
105
18
9
Max
80
155
165
165
165
28
12
Unit
mA
mA
mA
mA
Notes:
1.
All active current measurements are measured with one address transition per cycle and at minimum cycle time.
Copyright ? Everspin Technologies 2013
9
MR2A16A Rev. 11, 10/2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MR2A08ACMA35 | IC MRAM 4MBIT 35NS 48BGA |
| MR2A08AYS35 | IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP |
| GCB90DHBN | CONN EDGECARD 180PS R/A .050 SLD |
| GCB90DHBD | CONN EDGECARD 180PS R/A .050 SLD |
| 10326-E2W0-008 | JUNCTION SHELL 26POS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MR2A16ACMA35R | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR2A16ACTS35C | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR2A16ACYS35 | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR2A16ACYS35R | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR2A16AMA35 | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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