参数资料
| 型号： | MR2A16ACMA35 |
| 厂商： | Everspin Technologies Inc |
| 文件页数： | 7/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 4MBIT 35NS 48BGA |
| 标准包装： | 348 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 4M (256K x 16) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-FBGA（8x8） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 819-1020 |
MR2A16A
OPERATING CONDITIONS
Parameter
Power supply voltage 1
Write inhibit voltage
Input high voltage
Input low voltage
Temperature under bias
MR2A16A (Commercial)
MR2A16AC (Industrial)
MR2A16AV (Extended)
MR2A16AM (AEC-Q100 Grade 1) 4
Symbol
V DD
V WI
V IH
V IL
T A
Min
3.0
2.5
2.2
-0.5 3
0
-40
-40
-40
Typical
3.3
2.7
-
-
Max
3.6
3.0 1
V DD + 0.3 2
0.8
70
85
105
125
Unit
V
V
V
V
°C
Notes:
1.
2.
3.
4.
There is a 2 ms startup time once V DD exceeds V DD, (max). See “Power Up and Power Down Sequencing” on page 8.
V IH (max) = V DD + 0.3 V DC ; V IH (max) = V DD + 2.0 V AC (pulse width ≤ 10 ns) for I ≤ 20.0 mA.
V IL (min) = -0.5 V DC ; V IL (min) = -2.0 V AC (pulse width ≤ 10 ns) for I ≤ 20.0 mA.
AEC-Q100 Grade 1 temperature profile assumes 10% duty cycle at maximum temperature (2 years out of 20 years life.)
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7
MR2A16A Rev. 11, 10/2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MR2A08ACMA35 | IC MRAM 4MBIT 35NS 48BGA |
| MR2A08AYS35 | IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP |
| GCB90DHBN | CONN EDGECARD 180PS R/A .050 SLD |
| GCB90DHBD | CONN EDGECARD 180PS R/A .050 SLD |
| 10326-E2W0-008 | JUNCTION SHELL 26POS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MR2A16ACMA35R | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR2A16ACTS35C | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR2A16ACYS35 | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR2A16ACYS35R | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR2A16AMA35 | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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