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参数资料
| 型号： | MR4A08BCYS35R |
| 厂商： | Everspin Technologies Inc |
| 文件页数： | 12/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 16MBIT 35NS 44TSOP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 16M（2M x 8） |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 44-TSOP II |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MR4A08B
5. MECHANICAL DRAWING
Figure 5.1 TSOP2
1.
2.
3.
4.
Print Version Not To Scale
Dimensions and tolerances per ASME Y14.5M - 1994.
Dimensions in Millimeters.
Dimensions do not include mold protrusion.
Dimension does not include DAM bar protrusions.
DAM Bar protrusion shall not cause the lead width to exceed 0.58.
Copyright ? Everspin Technologies 2013
12
MR4A08B Rev. 6 9/2013
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MR4A08BMA35R | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR4A08BMYS35 | 功能描述:NVRAM 16MB 3.3V 35ns pre-qual sample MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR4A08BMYS35R | 功能描述:NVRAM 16MB 3.3V 35ns pre-qual sample MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR4A08BYS35 | 功能描述:NVRAM 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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