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参数资料
| 型号： | MR4A08BCYS35R |
| 厂商： | Everspin Technologies Inc |
| 文件页数： | 3/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 16MBIT 35NS 44TSOP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 16M（2M x 8） |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 44-TSOP II |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DEVICE PIN ASSIGNMENT
Figure 1.2 Pin Diagrams for Available Packages (Top View)
MR4A08B
DC
A 20
1
2
44
43
DC
A 19
A
3
42
DC
1
2
3
4
5
6
A
A
A
A
E
4
5
6
7
8
9
41
40
39
38
37
36
A
A
A
A
G
DC
NC
DQ
G
DC
NC
A
A
A
A
A
A
A
E
NC
DC
DC
DQ
A
B
C
10
35
V DD
V SS
11
12
13
14
34
33
32
31
V SS
V DD
V SS
V DD
DQ
DQ
DC
A
DQ
DQ
V DD
V SS
D
E
W
A
A
A
A
A
15
16
17
18
19
20
30
29
28
27
26
25
DC
A
A
A
A
A
DQ 3
NC
NC
20
A
A
A
A
A
NC
W
A
DQ
NC
19
F
G
H
DC
DC
21
22
44 Pin TSOP2
24
23
DC
DC
48 Pin FBGA
Table 1.2 Operating Modes
E 1
H
L
L
L
G 1
X
H
L
X
W 1
X
H
H
L
Mode
Not selected
Output disabled
Byte Read
Byte Write
V DD Current
I SB1 , I SB2
I DDR
I DDR
I DDW
DQ[7:0] 2
Hi-Z
Hi-Z
D Out
D in
1
2
H = high, L = low, X = don’t care
Hi-Z = high impedance
Copyright ? Everspin Technologies 2013
3
MR4A08B Rev. 6 9/2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRJ-5385-01 | CONN RCPT 8POS 2GRN 1PORT PCB |
| MRJ548501 | CONN MOD JACK 8P8C R/A GRN/GRN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MR4A08BMA35 | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR4A08BMA35R | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR4A08BMYS35 | 功能描述:NVRAM 16MB 3.3V 35ns pre-qual sample MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR4A08BMYS35R | 功能描述:NVRAM 16MB 3.3V 35ns pre-qual sample MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR4A08BYS35 | 功能描述:NVRAM 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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