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参数资料
| 型号： | MR4A08BYS35R |
| 厂商： | Everspin Technologies Inc |
| 文件页数： | 6/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 16MBIT 35NS 44TSOP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 16M（2M x 8） |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 44-TSOP II |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Electrical Specifications
Table 2.3 DC Characteristics
MR4A08B
Parameter
Input leakage current
Output leakage current
Output low voltage
(I OL = +4 mA)
(I OL = +100 μA)
Output high voltage
(I OL = -4 mA)
(I OL = -100 μA)
Symbol
I lkg(I)
I lkg(O)
V OL
V OH
Min
-
-
-
2.4
V DD - 0.2
Typical
-
-
-
-
Max
±1
±1
0.4
V SS + 0.2
-
Unit
μA
μA
V
V
Table 2.4 Power Supply Characteristics
Parameter
AC active supply current - read modes 1
(I OUT = 0 mA, V DD = max)
AC active supply current - write modes 1
(V DD = max)
AC standby current
(V DD = max, E = V IH )
no other restrictions on other inputs
CMOS standby current
(E ≥ V DD - 0.2 V and V In ≤ V SS + 0.2 V or ≥ V DD - 0.2 V)
(V DD = max, f = 0 MHz)
Symbol
I DDR
I DDW
I SB1
I SB2
Typical
60
152
9
5
Max
68
180
14
9
Unit
mA
mA
mA
mA
1
All active current measurements are measured with one address transition per cycle and at minimum cycle time.
Copyright ? Everspin Technologies 2013
6
MR4A08B Rev. 6 9/2013
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参数描述 |
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