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参数资料
| 型号： | MRF166C |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | RF Power FET(射频功率场效应管) |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | CASE 319-07, 6 PIN |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 219K |
| 代理商： | MRF166C |
MRF166C
2
MOTOROLA WIRELESS SEMICONDUCTOR
SOLUTIONS – RF AND IF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain–Source Breakdown Voltage
(VGS = 0 V, ID = 5.0 mA)
V(BR)DSS
65
—
—
V
Zero Gate Voltage Drain Current
(VDS = 28 V, VGS = 0 V)
IDSS
—
—
0.5
mA
Gate–Source Leakage Current
(VGS = 20 V, VDS = 0 V)
IGSS
—
—
1.0
μ
A
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
(VDS = 10 V, ID = 25 mA)
VGS(th)
1.5
3.0
4.5
V
Forward Transconductance
(VDS = 10 V, ID = 1.5 A)
gfs
0.8
1.1
—
mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
(VDS = 28 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz)
Ciss
—
28
—
pF
Output Capacitance
(VDS = 28 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz)
Coss
—
30
—
pF
Reverse Transfer Capacitance
(VDS = 28 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz)
Crss
—
4.0
—
pF
FUNCTIONAL CHARACTERISTICS
Common Source Power Gain
(VDD = 28 V, Pout = 20 W, f = 500 MHz, IDQ = 25 mA)
Gps
13.5
16
—
dB
Drain Efficiency
(VDD = 28 V, Pout = 20 W, f = 500 MHz, IDQ = 25 mA)
η
50
55
—
%
Electrical Ruggedness
(VDD = 28 V, Pout = 20 W, f = 500 MHz, IDQ = 25 mA,
Load VSWR 30:1 at All Phase Angles)
ψ
No Degradation in Output Power
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF166 | MOSFET BROADBAND RF POWER FETs |
| MRF171A | RF MOSFET(射频MOS场效应管) |
| MRF18060BS | RF Power MOSFETs(RF功率MOS场效应管) |
| MRF18090A | RF Power MOSFETs(RF功率MOS场效应管) |
| MRF18090AS | RF Power MOSFETs(RF功率MOS场效应管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF166W | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 65V 8A - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET |
| MRF171 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF171A | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF171AMP | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET |
| MRF172 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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