参数资料
型号: MRF166C
厂商: MOTOROLA INC
元件分类: 功率晶体管
英文描述: RF Power FET(射频功率场效应管)
中文描述: UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封装: CASE 319-07, 6 PIN
文件页数: 9/12页
文件大小: 219K
代理商: MRF166C
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MRF166C
MOTOROLA WIRELESS SEMICONDUCTOR
SOLUTIONS – RF AND IF DEVICE DATA
NOTES
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
MRF166W 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 65V 8A - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET
MRF171 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF171A 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF171AMP 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET
MRF172 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray