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参数资料
| 型号： | MRF19085LR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 403K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 13dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 850mA |
| 功率 - 输出： | 18W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF19085LR3 MRF19085LSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
33
34
35
36
37
38
39
?32
?31
?30
?29
?28
?27
?26
24.0 24.5 25.0 25.5 26.0 26.5 27.0 27.5 28.0
VDD, DRAIN SUPPLY (V)
Figure 9. Two-Tone Intermodulation Distortion and
Drain Efficiency versus Drain Supply
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD,
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
η
IDQ
= 850 mA
f = 1960 MHz
100 kHz Tone Spacing
IMD
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
11.5
12.0
12.5
13.0
13.5
14.0
10 100
4
Figure 10. Two-Tone Power Gain versus Output
Power
Figure 11. Two-Tone Broadband Performance
10
15
20
25
30
35
40
?35
?30
?25
?20
?15
?10
?5
1920 1930 1940 1950 1960 1970 1980 1990 2000
VDD
= 26 Vdc
f = 1960 MHz
100 kHz Tone Spacing
IDQ
= 1150 mA
1000 mA
850 mA
700 mA
550 mA
G
ps
, POWER GAIN (dB),
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
η
IMD
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD,
f, FREQUENCY (MHz)
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
IRL
Gps
VDD
= 26 Vdc
Pout
= 90 W (PEP)
IDQ
= 850 mA
100 kHz Tone Spacing
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF19090SR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S |
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| MRF21030LR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400 |
| MRF21045LR5 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRF19085R3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
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