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参数资料
| 型号： | MRF19085LR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 403K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 13dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 850mA |
| 功率 - 输出： | 18W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF19085LR3 MRF19085LSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
?55
?50
?45
?40
?35
?30
?25
?20
10 100
4
Figure 3. 2-Carrier N-CDMA Spectrum
Figure 4. 2-Carrier N-CDMA ACPR, IM3, Power Gain and
Drain Efficiency versus Output Power
Figure 5. Intermodulation Distortion
Products versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 6. Third Order Intermodulation
Distortion versus Output Power and IDQ
IM3, THIRD ORDER
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
, DRAIN EFFICIENCY (%),
η
G
ps
, POWER GAIN (dB)
Pout, OUTPUT POWER (WATTS Avg.) N?CDMA
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
f, FREQUENCY (MHz)
INPUT RETURN LOSS (dB)
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
Figure 7. 2-Carrier N-CDMA Broadband Performance
Figure 8. CW Performance
0
5
10
15
20
25
30
?70
?63
?56
?49
?42
?35
?28
11030
0.5
IM3
Gps
ACPR
η
VDD
= 26 Vdc, I
DQ
= 850 mA
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
1.2288 MHz Channel Bandwidth
Peak/Avg. = 9.8 @ 0.01% Probability (CCDF)
?70
?60
?50
?40
?30
?20
0
10
20
30
40
50
10 100
3rd Order
η
4
5th Order
7th Order
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD,
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
, DRAIN EFFICIENCY (%),
η
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IM3 (dBc), ACPR (dBc), IRL,
1150 mA
850 mA
700 mA
IDQ
= 550 mA
1000 mA
12
14
16
18
20
22
24
?60
?50
?40
?30
?20
?10
0
1930 1940 1950 1960 1970 1980 1990
VDD
= 26 V
Pout
= 18 W Avg.
IDQ
= 850 mA
2?Carrier N?CDMA, 2.5 MHz Carrier Spacing
1.2288 MHz Channel Bandwidth
Peak/Avg. = 9.8 @ 0.01% Probability (CCDF)
IM3
Gps
ACPR
η
IRL
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
, INPUT POWER (WATTS), G
ps
, POWER GAIN (dB)
P
in
0
2
4
6
8
10
12
14
5
12
19
26
33
40
47
54
2 14010 100
VDD
= 26 V
IDQ
= 850 mA
f = 1960 MHz
Gps
Pin
η
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
VDD
= 26 Vdc
f = 1960 MHz
100 kHz Tone Spacing
VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 850 mA
f1 = 1960 MHz
100 kHz Tone Spacing
f, FREQUENCY (MHz)
?100
0
?10
?20
?30
?40
?50
?60
?70
?80
?90
?ACPR in 30 kHz
Integrated BW
+ACPR in 30 kHz
Integrated BW
?IM3 in
1.2288 MHz
Integrated BW
+IM3 in
1.2288 MHz
Integrated BW
1.2288 MHz
Channel BW
6
1.5 4.53
0
?1.5
?3
?4.5
?6
?7.5
7.5
(dB)
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PDF描述 |
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