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参数资料
| 型号： | MRF19085LR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 403K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 13dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 850mA |
| 功率 - 输出： | 18W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF19085LR3 MRF19085LSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture)
Two-Tone Common-Source Amplifier Power Gain
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 90 W PEP, I
DQ
= 850 mA, f = 1930 MHz and
1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
Gps
?
13
?
dB
Two-Tone Drain Efficiency
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 90 W PEP, I
DQ
= 850 mA, f = 1930 MHz and
1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
η
?
36
?
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 90 W PEP, I
DQ
= 850 mA, f = 1930 MHz and
1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
IMD
?
-31
?
dBc
Input Return Loss
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 90 W PEP, I
DQ
= 850 mA, f = 1930 MHz and
1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
IRL
?
-12
?
dB
Pout, 1 dB Compression Point
(VDD
= 26 Vdc, I
DQ
= 850 mA, f = 1990 MHz)
P1dB
?
90
?
W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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