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参数资料
| 型号： | MRF20060R |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | NPN Silicon RF Power Transistor(NPN硅射频功率晶体管) |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封装： | CASE 451-06, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 97K |
| 代理商： | MRF20060R |
MRF20060R MRF20060RS
6
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 10. Series Equivalent Input and Output Impedence
f
MHz
Zin(1)
ZOL*
1800
1850
1900
1950
1.0 + j4.8
2.0 + j4.7
1.5 + j4.8
2.5 + j4.7
1.7 + j3.3
2.2 + j2.7
2.4 + j3.0
2.3 + j3.2
Zin(1)= Conjugate of fixture base terminal impedance.
ZOL* = Conjugate of the optimum load impedance at
given output power, voltage, bias current and
frequency.
VCC = 26 V, ICQ = 200 mA, Pout = 60 W (PEP)
+j1
+j2
+j3
+j5
+j0.5
+j0.2
–j1
–j2
–j3
–j5
–j10
–j0.5
–j0.2
+j10
0.0
0.5
1
2
3
5
ZOL*
Zin
Zo = 10
1.85 GHz
1.95 GHz
2 GHz
1.9 GHz
f = 1.8 GHz
2000
3.5 + j4.7
2.0 + j3.4
f = 1.8 GHz
1.85 GHz
1.9 GHz
1.95 GHz
2 GHz
0.2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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