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参数资料
| 型号： | MRF21180S |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | NI-1230S, CASE 375E-03, 5 PIN |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 356K |
| 代理商： | MRF21180S |
7
MRF21180 MRF21180S
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
20
-70
0
-20
-10
-20
-30
-40
-50
-60
15
10
5
0
-5
-10
-15
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
Figure 9. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 10. Two-Tone Broadband Performance
G
ps
,POWER
GAIN
(dB),
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
η
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
IMD,
f, FREQUENCY (MHz)
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
Figure 11. Intermodulation Distortion
Products versus Two–Tone Spacing
Df, TONE SEPARATION (MHz)
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
IMD,
Figure 12. 2-Carrier W-CDMA Spectrum
f, FREQUENCY (MHz)
(dB)
-IM3 @
3.84 MHz BW
+IM3 @
3.84 MHz BW
-ACPR @
3.84 MHz BW
+ACPR @
3.84 MHz BW
f1
3.84 MHz BW
f2
3.84 MHz BW
220
11
12.5
10
IDQ = 2100 mA
1700 mA
VDD = 28 Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
12.25
12
11.75
11.5
11.25
100
1900 mA
1500 mA
1300 mA
Gps
2190
10
35
2090
-33
-8
IRL
η
IMD
VDD = 28 Vdc
Pout = 170 W (PEP)
IDQ (ICQ) = 1700 mA
f1 = f - 5 MHz, f2 = f + 5 MHz
30
-13
25
-18
20
-23
15
-28
2170
2150
2130
2110
20
-55
-25
0.1
3rd Order
VDD = 28 Vdc
Pout = 170 W (PEP)
IDQ = 1700 mA
f1 = 2140 MHz - Df/2, f2 = 2140 MHz + Df/2
-30
-35
-40
-45
-50
10
1
5th Order
7th Order
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF275G | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF282SR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF282ZR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF284LR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF284LSR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF212 | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MRF221 | 功能描述:射频双极电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| MRF224 | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MRF227 | 制造商: 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-39 |
| MRF234 | 制造商:ASI 制造商全称:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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