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参数资料
| 型号： | MRF21180S |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | NI-1230S, CASE 375E-03, 5 PIN |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 356K |
| 代理商： | MRF21180S |
5
MRF21180 MRF21180S
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 2. MRF21180 Test Circuit Component Layout
MRF21180
Rev. 4
C1
WB4
WB3
C3
C5
C4
R2
R1
R5
B1
C2
C8
C6
C21
C19
WB1
WB2
C18
C14
C10
C22
R4
R3
C15C11
B1
C20 C16C12
C24
C17
C13
C23
C7 C9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF275G | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF282SR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF282ZR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF284LR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF284LSR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF212 | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MRF221 | 功能描述:射频双极电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| MRF224 | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MRF227 | 制造商: 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-39 |
| MRF234 | 制造商:ASI 制造商全称:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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