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参数资料
| 型号： | MRF5812R2 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SO-8 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 173K |
| 代理商： | MRF5812R2 |
MSC1319.PDF 10-25-99
MRF5812, R1, R2
FUNCTIONAL
Symbol
Test Conditions
Value
Typ.
Min.
Max.
Unit
NFmin
Minimum Noise Figure
(IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 500 MHz)
-
2.0
3.0
dB
G
NF
Power Gain @ Nfmin
(IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 500 MHz)
13
15.5
dB
G
U max
Maximum Unilateral Gain (1)
IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 500 MHz
-
17.8
-
dB
MSG
Maximum Stable Gain
IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 500 MHz
-
20
-
dB
|S
21
|
2
Insertion Gain
IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 500 MHz
-
15
-
dB
Table 1. Common Emitter S-Parameters, @ VCE = 10 V, IC = 50 mA
f
(MHz)
100
S11
S21
S12
S22
|S11|
.579
∠ φ
-141
|S21|
24
∠ φ
107
|S12|
.024
∠ φ
49
|S22|
.397
∠ φ
-76
300
.593
-173
8.93
85
.045
66
.233
-103
500
.598
175
5.14
74
.066
69
.248
-110
1000
.592
158
2.64
52
.132
72
.347
-119
2000
.615
115
1.55
20
.310
63
.531
-141
3000
.691
72
1.10
-5
.518
41
.648
-172
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRF581G | 功能描述:TRANS NPN 18V 200MA MACRO X RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
| MRF581GT | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF581GT - Bulk |
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