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参数资料
| 型号： | MRF5812R2 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SO-8 |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 173K |
| 代理商： | MRF5812R2 |
MSC1319.PDF 10-25-99
MRF5812, R1, R2
1.
4.
8.
5.
PIN 1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. COLLECTOR
4. EMITTER
5. EMITTER
6. BASE
7. BASE
8. EMITTER
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MRF951 | CAP CERAMIC 4PF 25V C0G 0201 |
| MS-136-C(P) | Coaxial Switches |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF581A | 功能描述:射频双极小信号晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| MRF581AG | 功能描述:TRANS RF NPN 5GHZ 15V MACR0 X RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
| MRF581AGT | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF581AGT - Bulk |
| MRF581G | 功能描述:TRANS NPN 18V 200MA MACRO X RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
| MRF581GT | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF581GT - Bulk |
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