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参数资料
型号： MRF5812R2
厂商： MICROSEMI CORP
元件分类： 功率晶体管
英文描述： RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： SO-8
文件页数： 4/5页
文件大小： 173K
代理商： MRF5812R2
MSC1319.PDF 10-25-99
MRF5812, R1, R2
E
G
(
F
G
I
P
D
I
RF (Low Power PA / General Purpose) Selection Guide
MA C R O X
MRF559
NPN
870
0.5
6.5
70
7.5
16
150
MA C R O X
MRF559
NPN
870
0.5
9.5
65
12.5
16
150
S O-8
MRF8372,R1,R2
NPN
870
0.75
8
55
12.5
16
200
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MRF557
NPN
870
1.5
8
55
12.5
16
400
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MRF557T
NPN
870
1.5
8
55
12.5
16
400
MA C R O X
MRF559
NPN
512
0.5
10
65
7.5
16
150
MA C R O X
MRF559
NPN
512
0.5
13
60
12.5
16
150
T O-3 9
2N3866A
NPN
400
1
10
45
28
30
400
S O-8
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NPN
400
1
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28
30
400
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MRF555
NPN
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1.5
11
50
12.5
16
400
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MRF555T
NPN
470
1.5
11
50
12.5
16
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SO-8
MRF4427, R2
NPN
175
0.15
18
60
12
20
400
TO-39
2N4427
NPN
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1
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POWER MACRO
MRF553
NPN
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1.5
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16
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POWER MACRO
MRF553T
NPN
175
1.5
11.5
50
12.5
16
500
TO-39
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NPN
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1.75
11.5
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16
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TO-39
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NPN
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3
7.8
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12.5
18
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TO-72
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NPN
200
20
6
12
50
P
G
G
B
T
P
D
T
N
N
N
G
F
C
B
T O - 3 9
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3
1 0
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1 2
1 2 0 0
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2 0
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T O - 3 9
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2 0 0
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1 5
1 1 .4
1 0 0 0
3 0
4 0 0
S O - 8
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NP N
2 0 0
3 .4
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1 5
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3 0
4 0 0
T O - 7 2
2 N 5 1 7 9
NP N
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1 .5
6
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9 0 0
1
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1
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3
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1
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T O - 7 2
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5
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1
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5 0
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B F R 9 1
NP N
5 0 0
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5
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1
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3 5
M A C R O T
B F R 9 6
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2
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1 0
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2 .6
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M a c r o
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5 0 0 0
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T O - 3 9
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3
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M A C R O X
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1 0
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TO-39
MRF545
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2
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400
TO-39
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NPN
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1500
70
400
RF (LNA / General Purpose) Selection Guide
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参数描述
MRF581A 功能描述:射频双极小信号晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
MRF581AG 功能描述:TRANS RF NPN 5GHZ 15V MACR0 X RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
MRF581AGT 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF581AGT - Bulk
MRF581G 功能描述:TRANS NPN 18V 200MA MACRO X RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
MRF581GT 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF581GT - Bulk
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