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参数资料
| 型号： | MRF5S19100HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 599K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 13.9dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1A |
| 功率 - 输出： | 22W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF5S19100HR3 MRF5S19100HSR3
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RF Device Data
Freescale Semiconductor
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1000 mA, P
out
= 22 W Avg.
Figure 12. Series Equivalent Source and Load Impedance
f = 1930 MHz
f = 1990 MHz
Zo
= 10
Ω
f = 1930 MHz
f = 1990 MHz
f
MHz
Zsource
Ω
Zload
Ω
1930
1960
1990
4.45 - j5.32
5.12 - j5.45
4.53 - j5.40
1.98 - j2.58
1.83 - j2.55
1.60 - j2.15
Zload
Zsource
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S19130HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 26W NI-880S |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRF5S19130HR3_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
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| MRF5S19130HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 28V26W WCDMA NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S19130HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 28V26W WCDMA NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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