参数资料
型号: MRF5S19100HSR5
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 7/12页
文件大小: 599K
描述: MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S
标准包装: 50
晶体管类型: LDMOS
频率: 1.93GHz
增益: 13.9dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 1A
功率 - 输出: 22W
电压 - 额定: 65V
封装/外壳: NI-780S
供应商设备封装: NI-780S
包装: 带卷 (TR)
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S19100HR3 MRF5S19100HSR3
Figure 2. MRF5S19100HR3(SR3) Test Circuit Component Layout
CUT OUT AREA
MRF5S19100
Rev 1
B1
C2
R2
C3
C4
C5
C11
C12
C9
C10
C6
C7
C8
W1
R4
C15
C14
C13
C1
R3
R1
VGG
VDD
C17
C16
Freescale has begun the transition of marking Printed Circuit Boards (PCBs) with the Freescale Semiconductor
signature/logo. PCBs may have either Motorola or Freescale markings during the transition period. These changes will have
no impact on form, fit or function of the current product.
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PDF描述
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MRF5S21045NR1 MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-4
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参数描述
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MRF5S19130HR3_06 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
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MRF5S19130HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 28V26W WCDMA NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S19130HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 28V26W WCDMA NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray