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参数资料
| 型号： | MRF5S19100HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/12页 |
| 文件大小： | 599K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 13.9dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1A |
| 功率 - 输出： | 22W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF5S19100HR3 MRF5S19100HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
NOTES
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S19130HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 26W NI-880S |
| MRF5S19150HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 32W NI-880S |
| MRF5S21045MR1 | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-4 |
| MRF5S21045NR1 | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-4 |
| MRF5S21090HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF5S19130HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 28V 26W WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S19130HR3_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF5S19130HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 28V 26W WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S19130HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 28V26W WCDMA NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S19130HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 28V26W WCDMA NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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