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参数资料
| 型号： | MRF5S9101MR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 3/20页 |
| 文件大小： | 542K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 26V 100W TO2704 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 960MHz |
| 增益： | 17.5dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 700mA |
| 功率 - 输出： | 100W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF5S9101MR1 MRF5S9101MBR1
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS - 800 MHz
830 840 850 860 870 880 890 900 910 920 930
940
10
20
820
?20
65
19 60
18 55Gps
17 50ηD
16 45
15 ?10IRL
VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 700 mA
14 ?12
13 ?14
12 ?16
11 ? 18
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 16. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ Pout
= 100 W CW
G
ps
, POWER GAIN (dB)
830 840 850 860 870 880 890 900 910 920 930
940
10
20
820
?20
45
14 ?12IRL
13
?14
19 40G
18 35ps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 17. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ Pout
= 40 W CW
G
ps
, POWER GAIN (dB)
15 ?10VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 700 mA
17 30ηD
16 25
12
?16
11 ? 18
910
0
3.5
850
Pout
= 50 W Avg.
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 18. Error Vector Magnitude versus
Frequency
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 650 mA
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% rms)
3
2.5
2
1.5
1
0.5
860860 870 880 890 900
40 W Avg.
25 W Avg.
100
0
9
1
0
60
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 19. Error Vector Magnitude and Drain
Efficiency versus Output Power
η
VDD
= 28 Vdc
850IDQ
= 650 mA
f = 880 MHz
EVM
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% rms)
640
530
C
= 25
C
320
210
10
T
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
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