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参数资料
| 型号： | MRF6S27015NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 16/19页 |
| 文件大小： | 629K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN TO270-2 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.6GHz |
| 增益： | 14dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 160mA |
| 功率 - 输出： | 3W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270AA |
| 供应商设备封装： | TO-270-2 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S27015NR1 MRF6S27015GNR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
?60
1
VDD
= 28 Vdc, P
out
= 15 W (PEP)
IDQ
= 160 mA
IM3?U
?40
?45
?50
100
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
?65
?15
1
?40
?50
10
?30
?20
?60
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
TWO?TONE SPACING (MHz)
Figure 9. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
Pin, INPUT POWER (dBm)
36
50
27
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 160 mA
Pulsed CW, 12 μsec(on), 1% Duty Cycle
f = 2600 MHz
48
46
44
42
40
28 3029 3231 3533
34
Actual
Ideal
49
47
43
45
41
26
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
P6dB = 44.3 dBm (27 W)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
Figure 10. Single-Carrier W-CDMA ACPR, ALT1, Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
5 ?65
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
50
?20
25
?25
20
?35
15
?40
?50
10
?45
10
Gps
ηD
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dBc)
7th Order
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 160 mA
f1 = 2595 MHz, f2 = 2605 MHz
Two?Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
5th Order
3rd Order
?30
?35
?25
IM3?L
IM5?U
IM5?L
IM7?L
IM7?U
P3dB = 43.7 dBm (23 W)
P1dB = 43 dBm (20 W)
35
30
45
40
1
?30
?55
?60
ACPR
ALT1
?55
?45
?35
?25
?55
Two?Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2600 MHz
VDD= 28 Vdc, IDQ
= 160 mA, f = 2600 MHz
Single?Carrier W?CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5 dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S27050HSR5 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S |
| MRF6S27085HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S |
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| MRF6S9060NR1 | MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-270-2 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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