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参数资料
| 型号： | MRF6S27050HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 466K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.62GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 500mA |
| 功率 - 输出： | 7W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S27050HR3 MRF6S27050HSR3
Figure 2. MRF6S27050HR3(SR3) Test Circuit Component Layout
CUT OUT AREA
MRF6S27050
Rev. 1A
B2
C7 C6
B1
R1
C4 Top
C5 Bottom
C1
C3
C8
C11
C14
C15
C13
C12
C9
C10
C2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6S27085HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2700MHZ NCDMA NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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| MRF6S27085HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2700MHZ NCDMA NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S27085HS | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
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