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参数资料
| 型号： | MRF6S27050HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 466K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.62GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 500mA |
| 功率 - 输出： | 7W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S27050HR3 MRF6S27050HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
1 10010
?55
?5
0.1
VDD
= 28 Vdc, P
out
= 50 W (PEP), I
DQ
= 500 mA
Two?Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2600 MHz
IM3?U
?10
?15
?40
?45
?50
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
?70
?10
1 10010
?40
?50
?30
?20
?60
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
TWO?TONE SPACING (MHz)
Figure 9. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
Pin, INPUT POWER (dBm)
37
54
28
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 500 mA
Pulsed CW, 12 μsec(on), 1% Duty Cycle
f = 2600 MHz
52
50
48
46
44
29 3130 3332 3634
35
Actual
Ideal
53
51
47
49
45
27
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
P6dB = 47.88 dBm (61.38 W)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
Figure 10. Single-Carrier W-CDMA ACPR, ALT1, Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
0 ?65
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG. W?CDMA
50
?15
25
?20
20
?35
15
?40
5
?50
0.2 10 401
?45
10
VDD= 28 Vdc, IDQ
= 500 mA, f = 2600 MHz
Single?Carrier W?CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
Gps
ηD
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dBc)
7th Order
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 500 mA
f1 = 2598.75 MHz, f2 = 2601.25 MHz
Two?Tone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
5th Order
3rd Order
?30
?35
?20
?25
IM3?L
IM5?U
IM5?L
IM7?L
IM7?U
P3dB = 47.44 dBm (55.46 W)
P1dB = 46.91 dBm (49.06 W)
35
30
45
40
?25
ACPR
?30
?55
?60
ALT1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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