- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录93 > MRF6S9125MR1 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CH 28V 27W TO-270-4 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRF6S9125MR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 13/16页 |
| 文件大小： | 590K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V 27W TO-270-4 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 20.2dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 950mA |
| 功率 - 输出： | 27W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270-4 |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9125MR1 MRF6S9125MBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
?25
?20
910
850
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ Pout
= 27 Watts Avg.
890
880
870
860
18.5
20.5
20.3
?70
34
32
30
?40
?50
?60
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
20
19.8
19.5
19.3
19
?30
900
ALT1
?15
?10
?5
VDD= 28 Vdc, Pout
= 27 W (Avg.)
IDQ
= 950 mA, N?CDMA IS?95 Pilot
Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
?25
?20
910
850
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ Pout
= 62.5 Watts Avg.
900
890
880
870
860
18
19.6
19.4
?70
52
48
44
?40
?50
?60
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
19.2
19
18.8
18.6
18.4
?30
?15
?10
?5
VDD= 28 Vdc, Pout
= 62.5 W (Avg.)
IDQ
= 950 mA, N?CDMA IS?95 Pilot
Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
1 300100
16
22
IDQ
= 1475 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
20
18
10
G
ps
, POWER GAIN (dB)
21
19
1187 mA
950 mA
VDD
= 28 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
Two?Tone Measurements, 100 MHz Tone Spacing
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
?30
?10
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
10
?20
100
?60
?40
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
?50
18.2
40
17
712 mA
475 mA
18.8
28
ηD
ηD
ALT1
300
IDQ
= 1425 mA
1187 mA
950 mA
712 mA
475 mA
VDD
= 28 Vdc
f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
Two?Tone Measurements, 100 MHz Tone Spacing
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S9125NR1 | MOSFET RF N-CH 28V 27W TO-270-4 |
| MRF6S9130HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780S |
| MRF6S9160HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 35W NI-780S |
| MRF6V10010NR4 | MOSFET RF N-CHAN PLD-1.5 |
| MRF6V10250HSR5 | MOSFET RF N-CH NI780S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6S9125N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S9125NBR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 27W TO-272-4 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF6S9125NR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 27W TO-270-4 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF6S9125NR1_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S9125NR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。