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参数资料
| 型号： | MRF6S9125MR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/16页 |
| 文件大小： | 590K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V 27W TO-270-4 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 20.2dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 950mA |
| 功率 - 输出： | 27W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270-4 |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9125MR1 MRF6S9125MBR1
Table 2. Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value(1)
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
Case Temperature 80°C, 125 W CW
Case Temperature 76°C, 27 W CW
RθJC
0.44
0.45
°C/W
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Class
Human Body Model (per JESD22-A114)
1B (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22-A115)
C (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22-C101)
IV (Minimum)
Table 4. Moisture Sensitivity Level
Test Methodology
Rating
Package Peak Temperature
Unit
Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
3
260
°C
Table 5. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
= 68 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
?
10
μAdc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
?
1
μAdc
Gate-Source Leakage Current
(VGS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
IGSS
?
?
1
μAdc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(VDS
= 10 Vdc, I
D
= 400
μAdc)
VGS(th)
1
2.1
3
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(VDS
= 28 Vdc, I
D
= 950 mAdc)
VGS(Q)
2
2.89
4
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(VGS
= 10 Vdc, I
D
= 2.74 Adc)
VDS(on)
0.05
0.23
0.3
Vdc
Forward Transconductance
(VDS
= 10 Vdc, I
D
= 8 Adc)
gfs
?
6
?
S
Dynamic Characteristics (2)
Output Capacitance
(VDS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
Coss
?
60
?
pF
Reverse Transfer Capacitance
(VDS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
Crss
?
2
?
pF
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 950 mA, P
out
= 27 W, f = 880 MHz
Power Gain
Gps
19
20.2
24
dB
Drain Efficiency
ηD
29
31
?
%
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
?
-47.1
-45
dBc
Input Return Loss
IRL
?
-16
-9
dB
1. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.
Select Documentation/Application Notes - AN1955.
2. Part is internally input matched.
(continued)
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