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参数资料
| 型号： | MRF6V2300NR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 15/19页 |
| 文件大小： | 1185K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 300W TO-270-4 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 220MHz |
| 增益： | 25.5dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 2.5mA |
| 电流 - 测试： | 900mA |
| 功率 - 输出： | 300W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6V2300NR1 MRF6V2300NBR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
50
1
1000
02010
30
40
VDS, DRAIN--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Capacitance versus Drain--Source Voltage
C, CAPACITANCE (pF)
Ciss
1
100
1
TC
=25°C
10
10
VDS, DRAIN--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. DC Safe Operating Area
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
20 12040
60
80 100
0
10
0
DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
9
8
7
6
Figure 6. DC Drain Current versus Drain Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
600
22
28
IDQ
= 1350 mA
10
26
25
24
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 7. CW Power Gain versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
=50Vdc
f1 = 220 MHz
100
10
100
27
5
VGS
=3V
Coss
Crss
4
3
2
1
2.75 V
2.63 V
2.5 V
2.25 V
23
100
1125 mA
900 mA
650 mA
450 mA
10 600100
-- 5 5
-- 1 5
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
-- 2 5
-- 3 0
-- 3 5
-- 4 0
Figure 8. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
IMD, THIRD ORDER INTERMODULATION
DISTORTION (dBc)
VDD
= 50 Vdc, f1 = 220 MHz, f2 = 220.1 MHz
Two--Tone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
-- 4 5
-- 5 0
-- 2 0
IDQ
= 450 mA
1350 mA
900 mA
650 mA
1125 mA
34
50
60
24 2826
58
56
54
52
Pin, INPUT POWER (dBm)
Figure 9. CW Output Power versus Input Power
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
30 32
P3dB = 55.76 dBm (377 W)
Actual
Ideal
P1dB = 55.04 dBm (319 W)
VDD
=50Vdc,IDQ
= 900 mA
f = 220 MHz
Measured with
±30 mV(rms)ac @ 1 MHz
VGS
=0Vdc
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6V3090NR5 | FET RF N-CH 860MHZ 50V TO270-4 |
| MRF6V4300NR5 | MOSFET RF N-CH 300W TO-270-4 |
| MRF6VP11KHR6 | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230 |
| MRF6VP121KHSR6 | MOSFET RF N-CH 50V NI-1230S |
| MRF6VP21KHR6 | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6V3090NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 272WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V3090NBR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 272WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V3090NBR5-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MRF Series 470 - 860 MHz 90 W 50 V N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF6V3090NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V3090NR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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