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参数资料
| 型号： | MRF6V2300NR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/19页 |
| 文件大小： | 1185K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 300W TO-270-4 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 220MHz |
| 增益： | 25.5dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 2.5mA |
| 电流 - 测试： | 900mA |
| 功率 - 输出： | 300W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6V2300NR1 MRF6V2300NBR1
Figure 17. MRF6V2300NR1(NBR1) Test Circuit Component Layout ? 450 MHz
CUT OUT AREA
C4
C5C5
450 MHz
272--WB
C3
B1
C6 C7 C8
L1
C24
C1
C2
C10
L2
C9
L3
C20 C21 C22
C19
L5
B2
C23
C18
C13 C14
L4
C11 C12
C15
C17
C16
Rev. 2
Table 8. MRF6V2300NR1(NBR1) Test Circuit Component Designations and Values ? 450 MHz
Part
Description
Part Number
Manufacturer
B1, B2
95
?, 100 MHz Long Ferrite Beads
2743021447
Fair--Rite
C1, C9, C17, C18
240 pF Chip Capacitors
ATC100B241JT50XT
ATC
C2
47 pF Chip Capacitor
ATC100B470JT500XT
ATC
C3
47
μF, 50 V Electrolytic Capacitor
476KXM050M
Illinois Capacitor
C4
22
μF, 35 V Tantalum Capacitor
T491X226K035AT
Kemet
C5
10
μF, 35 V Tantalum Capacitor
T491D106K035AT
Kemet
C6, C20
10K pF Chip Capacitors
ATC200B103KT50XT
ATC
C7, C21
20K pF Chip Capacitors
ATC200B203KT50XT
ATC
C8, C22
0.1
μF Chip Capacitors
CDR33BX104AKYS
AVX
C10, C19
2.2
μF, 50 V Chip Capacitors
C1825C225J5RAC--TU
Kemet
C11, C13
15 pF Chip Capacitors
ATC100B150JT500XT
Kemet
C12, C14
6.8 pF Chip Capacitors
ATC100B6R8JT500XT
ATC
C15
9.1 pF Chip Capacitor
ATC100B120JT500XT
ATC
C16
10 pF Chip Capacitor
ATC100B100JT500XT
ATC
C23
470
μF, 63 V Electrolytic Capacitor
MCGPR63V477M13X26--RH
Multicomp
C24
2 pF Chip Capacitor
ATC100B2R0JT500X
ATC
L1
12.5 nH Inductor
A04TJLC
Coilcraft
L2
8 nH Inductor
A03TKLC
Coilcraft
L3, L5
82 nH, Midi Springs
1812SMS--82NJLC
Coilcraft
L4
2 Turn, #18 AWG, Inductor, Hand Wound, 0.090″
ID
Copper Wire
PCB
Arlon CuClad 250GX--0300--55--22, 0.030″,
εr
=2.55
DS2054
DS Electronics
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6V3090NR5 | FET RF N-CH 860MHZ 50V TO270-4 |
| MRF6V4300NR5 | MOSFET RF N-CH 300W TO-270-4 |
| MRF6VP11KHR6 | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230 |
| MRF6VP121KHSR6 | MOSFET RF N-CH 50V NI-1230S |
| MRF6VP21KHR6 | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6V3090NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 272WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V3090NBR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 272WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V3090NBR5-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MRF Series 470 - 860 MHz 90 W 50 V N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF6V3090NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V3090NR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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