- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录93 > MRF6V3090NR5 (Freescale Semiconductor)FET RF N-CH 860MHZ 50V TO270-4 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRF6V3090NR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 16/19页 |
| 文件大小： | 942K |
| 描述： | FET RF N-CH 860MHZ 50V TO270-4 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 860MHz |
| 增益： | 22dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 电流 - 测试： | 350mA |
| 功率 - 输出： | 18W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5
MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
TYPICAL CHARACTERISTICS ? TWO--TONE (NARROWBAND TEST CIRCUIT)
Figure 9. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
-- 7 0
-- 1 0
10
7th Order
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
VDD
=50Vdc,IDQ
= 350 mA, f1 = 854 MHz
f2 = 860 MHz, Two--Tone Measurements
3rd Order
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
-- 6 0
5th Order
1
-- 5 0
Figure 10. Intermodulation Distortion
Products versus Two--Tone Spacing
10
-- 2 0
1
7th Order
TWO--TONE SPACING (MHz)
5th Order
3rd Order
-- 3 5
-- 4 5
-- 5 5
90
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
Figure 11. Two--Tone Power Gain versus
Output Power
20
23.5
1
IDQ
= 450 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
23
20.5
10 200100
G
ps
, POWER GAIN (dB)
22.5
21.5
VDD
= 50 Vdc, f1 = 854 MHz, f2 = 860 MHz
Two--Tone Measurements, 6 MHz Tone Spacing
Figure 12. Third Order Intermodulation
Distortion versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
10
VDD
= 50 Vdc, f1 = 854 MHz, f2 = 860 MHz
Two--Tone Measurements, 6 MHz Tone Spacing
100
1
-- 6 5
-- 2 5
IDQ
= 250 mA
300 mA
VDD
=50Vdc,Pout
= 90 W (PEP), IDQ
= 350 mA
f = 860 MHz, Two--Tone Measurements
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
-- 6 0
21
250 mA
22
350 mA
450 mA
-- 2 0
-- 4 0
-- 5 0
-- 6 0
-- 1 0
-- 3 0
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
100 200
300 mA
350 mA
200
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6V4300NR5 | MOSFET RF N-CH 300W TO-270-4 |
| MRF6VP11KHR6 | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230 |
| MRF6VP121KHSR6 | MOSFET RF N-CH 50V NI-1230S |
| MRF6VP21KHR6 | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230 |
| MRF6VP2600HR6 | MOSFET RF N-CH 600W NI1230 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6V4300NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W TO272WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V4300NBR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W Latrl N-Ch SE Broadband MOSFET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V4300NBR5-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MRF6V4300 Series 600 MHz 110 V RF Power N-Channel Mosfet - TO-272-4 |
| MRF6V4300NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W TO270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V4300NR1_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。