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参数资料
| 型号： | MRF6V3090NR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 3/19页 |
| 文件大小： | 942K |
| 描述： | FET RF N-CH 860MHZ 50V TO270-4 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 860MHz |
| 增益： | 22dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 电流 - 测试： | 350mA |
| 功率 - 输出： | 18W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5
MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
TYPICAL CHARACTERISTICS ? 470--860 MHz BROADBAND REFERENCE CIRCUIT
ηD
Gps
24
450
0
60
850
23
21
19
50
=4.5W
40
9W
18 W
30
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 21. Single--Carrier DVB--T (8k OFDM) Power Gain and Drain
Efficiency versus Frequency (Broadband Reference Circuit)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
η
D,
DRAIN EFFICIENCY (%)
22
20
900
20
18
104.5 W
500 550 600 650 700 750 800
VDD
=50Vdc,IDQ
= 450 mA, DVB--T (8k OFDM)
64 QAM Data Carrier Modulation, 5 Symbols
Pout
18 W
9W
12
-- 4 5
0
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 22. Single--Carrier DVB--T (8k OFDM) Output PAR and IMD
Shoulder versus Frequency (Broadband Reference Circuit)
450
-- 1 0
-- 2 0
-- 3 0
18 W
-- 4 0
OUTPUT PAR (dB)
Pout
=4.5W
9W
-- 1 5
VDD
=50Vdc,IDQ
= 450 mA, DVB--T (8k OFDM)
64 QAM Data Carrier Modulation, 5 Symbols
10
7
6
5
4
3
495 540 585 630 675 720 765 810 900855
18 W
-- 2 5
4.5 W
9W
(1) Intermodulation distortion shoulder measurement made using
delta marker at 4.2 MHz offset from center frequency.
26
VDD
=50Vdc,IDQ
= 450 mA
25
Pulse Width = 100
μsec, 10% Duty Cycle
0
70
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PULSED
Figure 23. Pulsed Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power (Broadband Reference Circuit)
1
50
470 MHz
40
30
2030
Gps
ηD
60
24
23
21
20
19
10 100 200
620 MHz
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
PAR
IMD(1)
IMD, INTERMODULATION
DISTORTION SHOULDER (dBc)
8
9
11
-- 5
-- 3 5
22
10
860 MHz
620 MHz
740 MHz
470 MHz
860 MHz
740
MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6V4300NR5 | MOSFET RF N-CH 300W TO-270-4 |
| MRF6VP11KHR6 | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230 |
| MRF6VP121KHSR6 | MOSFET RF N-CH 50V NI-1230S |
| MRF6VP21KHR6 | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6V4300NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W TO272WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V4300NBR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W Latrl N-Ch SE Broadband MOSFET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V4300NBR5-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MRF6V4300 Series 600 MHz 110 V RF Power N-Channel Mosfet - TO-272-4 |
| MRF6V4300NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W TO270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V4300NR1_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
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