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参数资料
型号： MRF6VP3091NBR1
厂商： Freescale Semiconductor
文件页数： 15/20页
文件大小： 1099K
描述： MOSFET RF 50V 350MA TO272-4
标准包装： 500
晶体管类型： LDMOS（双）
频率： 860MHz
增益： 22dB
电压 - 测试： 50V
电流 - 测试： 350mA
功率 - 输出： 18W
电压 - 额定： 115V
封装/外壳： TO-272BB
供应商设备封装： TO-272 WB-4
包装： 带卷 (TR)
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF6VP3091NR1 MRF6VP3091NR5
MRF6VP3091NBR1 MRF6VP3091NBR5
Figure 3. MRF6VP3091NR1(NBR1) 860 MHz Single--Ended Narrowband Test Circuit Component Layout
MRF6V3090N
Rev. 0
--
--
R1
R2
C1
C2 C3
C4
C5 C6
C7
C8 C9
C10
C11
C12 C13
C14
C15
C16 C17
C18
CUT OUT AREA
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PDF描述
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参数描述
MRF6VP3091NBR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 50V 4.5W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6VP3091NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 50V 4.5W TO270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6VP3091NR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 50V 4.5W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6VP3450HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6VP3450HR5-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRF6VP3450H Series 470 - 860 MHz 110 V N-Channel RF Power Mosfet
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