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参数资料
| 型号： | MRF6VP3091NBR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/20页 |
| 文件大小： | 1099K |
| 描述： | MOSFET RF 50V 350MA TO272-4 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 860MHz |
| 增益： | 22dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 电流 - 测试： | 350mA |
| 功率 - 输出： | 18W |
| 电压 - 额定： | 115V |
| 封装/外壳： | TO-272BB |
| 供应商设备封装： | TO-272 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF6VP3091NR1 MRF6VP3091NR5
MRF6VP3091NBR1 MRF6VP3091NBR5
D
0.642
0.000
D
B
C
C
1.171
1.359
0.831
1.000
0.129
0.324
0.490
Side View, Typ both ends
0.125
1.875
0.430
1.570
2.640
3.380
2.800
A
A
E
E
2.105
1.980
1.620
1.495
1.800
0.125
0.800
0.500
0.595
1.405
1.500
1.160
0.420
R0.370
0.000
3.600
2.000
Diamond Saw (0.015″)2X
1.635
1.965
0.0000
0.0050
A
E
A
E
0.270
Drill from bottom Dia. = 0.257″
0.000
0.490
0.250
3.475
T0--272 0.490″
Copper Heatsink (for 30 mil 1 oz/1 oz PCB)
Designators
Details
A
2 places, mill down cavity 0.250″
B
2 places, on sides, 0.1875 diameter notch 0.020″
deep (N connector notch)
C
4 places, side, drill & tap #2--56 screw 0.500″
deep (SMA holes)
D
4 places, side, drill & tap #4--40 screw 0.500″
deep (N conn holes)
E
2 places drill diameter = 0.257″, from bottom depth = 0.270″
All others, drill through & tap for #4--40 screw
Figure 22. MRF6VP3091NR1(NBR1) 470--860 MHz Broadband 2″×3.6″
Compact Reference
Circuit Component Layout ? Heatsink
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6VP3450HR6 | MOSFET RF N-CH 450W NI-1230 |
| MRF6VP41KHSR7 | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230S |
| MRF7P20040HSR5 | MOSFET RF N-CH 40W NI780HS-4 |
| MRF7S15100HR5 | MOSFET RF N-CH 28V 23W NI780 |
| MRF7S16150HSR5 | MOSFET RF N-CH NI-780S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6VP3091NBR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 50V 4.5W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP3091NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 50V 4.5W TO270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP3091NR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 50V 4.5W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP3450HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP3450HR5-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MRF6VP3450H Series 470 - 860 MHz 110 V N-Channel RF Power Mosfet |
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