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参数资料
| 型号： | MRF6VP41KHSR7 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 13/19页 |
| 文件大小： | 1288K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230S |
| 标准包装： | 25 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 450MHz |
| 增益： | 20dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 5mA |
| 电流 - 测试： | 150mA |
| 功率 - 输出： | 1000W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | NI-1230S |
| 供应商设备封装： | NI-1230S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6VP41KHR6 MRF6VP41KHSR6
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
Table 4. Electrical Characteristics
(TA
=25°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performance ? 352.2 MHz
(In Freescale 352.2 MHz Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=50Vdc,IDQ
= 150 mA, Pout
= 1000 W CW
Power Gain
Gps
?
20.1
?
dB
Drain Efficiency
ηD
?
67
?
%
Input Return Loss
IRL
?
--10.2
?
dB
Typical Performance ? 500 MHz
(In Freescale 500 MHz Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=50Vdc,IDQ
= 150 mA, Pout
= 1000 W Peak
(200 W Avg.), f = 500 MHz, 100
μsec Pulse Width, 20% Duty Cycle
Power Gain
Gps
?
19.5
?
dB
Drain Efficiency
ηD
?
66
?
%
Input Return Loss
IRL
?
-- 2 3
?
dB
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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