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参数资料
| 型号： | MRF7S27130HSR3 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, CASE 465A-06, NI-780S, 3 PIN |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 407K |
| 代理商： | MRF7S27130HSR3 |
MRF7S27130HR3 MRF7S27130HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 2. MRF7S27130HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
MRF7S27130H/HS
Rev. 0
R1
CUT
OUT
AREA
R2
C2
C1
R3
C3
C4
C6
C7
C8
C12
C13
C5
C11
C9
C10
VDD
VGS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S35015HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF7S35015HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 PULSED 15W NI400S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S35015HSR3_11 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET |
| MRF7S35015HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 PULSED 15W NI400S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S35120HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 120W PULSED RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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