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参数资料
| 型号： | MRF7S27130HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 15/15页 |
| 文件大小： | 771K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 23W NI-780S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.5GHz |
| 增益： | 16.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.5A |
| 功率 - 输出： | 23W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF7S27130HR3 MRF7S27130HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Zo
=5?
Zload
f = 2500 MHz
Zsource
f = 2700 MHz
f = 2700 MHz
f = 2500 MHz
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1500 mA, Pout
=23WAvg.
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
2500
4.499 -- j2.335
2.936 -- j4.876
2525
4.382 -- j1.944
2.885 -- j4.666
2550
4.294 -- j1.567
2.838 -- j4.467
2575
4.234 -- j1.194
2.797 -- j4.273
2600
4.209 -- j0.820
2.763 -- j4.084
2625
4.219 -- j0.447
2.733 -- j3.903
2650
4.248 -- j0.090
2.706 -- j3.732
2675
4.304 + j0.261
2.678 -- j3.570
2700
4.390 + j0.612
2.652 -- j3.410
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 14. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S35015HSR5 | MOSFET RF N-CH 15W NI-400S-240 |
| MRF7S35120HSR5 | MOSFET RF N-CH 120W NI-780S |
| MRF7S38010HSR5 | MOSFET RF N-CH 2W 30V NI-400S |
| MRF7S38040HSR5 | MOSFET RF N-CH 8W 30V NI-400S |
| MRF7S38075HSR5 | MOSFET RF N-CH 12W 30V NI-780S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF7S35015HSR3_11 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET |
| MRF7S35015HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 PULSED 15W NI400S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S35120HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 120W PULSED RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S35120HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 120W PULSED RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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