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参数资料
| 型号： | MRF7S27130HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/15页 |
| 文件大小： | 771K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 23W NI-780S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.5GHz |
| 增益： | 16.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.5A |
| 功率 - 输出： | 23W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF7S27130HR3 MRF7S27130HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics
(TA
=25°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances OFDM Signal
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 1500 mA, Pout
=23WAvg.,
3/4,4Bursts,PAR=9.5dB@
f = 2500 MHz and f = 2700 MHz, WiMAX Signal, OFDM Single--Carrier, 7 MHz Channel Bandwidth, 64 QAM
0.01% Probability on CCDF.
Mask System Type G @ Pout
=23WAvg.
Point B at 3.5 MHz Offset
Point C at 5 MHz Offset
Point D at 7.4 MHz Offset
Point E at 14 MHz Offset
Point F at 17.5 MHz Offset
Mask
?
?
?
?
?
-- 2 7
-- 4 0
-- 4 4
-- 6 0
-- 6 0
?
?
?
?
?
dBc
Relative Constellation Error @ Pout
=23WAvg.
(1)
RCE
?
-- 3 3
?
dB
Error Vector Magnitude
(1)
(Typical EVM Performance @ Pout
= 23 W Avg. with OFDM 802.16d
Signal Call)
EVM
?
2.2
?
%rms
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 1500 mA, 2500--2700 MHz Bandwidth
Video Bandwidth @ 105 W PEP Pout
whereIM3=--30dBc
(Tone Spacing from 100 kHz to VBW)
?IMD3 = IMD3 @ VBW frequency -- IMD3 @ 100 kHz <1 dBc (both
sidebands)
VBW
?
40
?
MHz
Gain Flatness in 200 MHz Bandwidth @ Pout
=23WAvg.
GF
?
1.2
?
dB
Average Deviation from Linear Phase in 200 MHz Bandwidth
@Pout
= 105 W CW
Φ
?
135
?
°
Average Group Delay @ Pout
= 105 W CW, f = 2600 MHz
Delay
?
1.5
?
ns
Part--to--Part Insertion Phase Variation @ Pout
= 105 W CW,
f = 2600 MHz, Six Sigma Window
?Φ
?
81.3
?
°
Gain Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?G
?
0.013
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?P1dB
?
0.01
?
dB/°C
1. RCE = 20Log(EVM/100)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S35015HSR5 | MOSFET RF N-CH 15W NI-400S-240 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRF7S35120HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 120W PULSED RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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