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参数资料
| 型号： | MRF8HP21130HSR5 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, NI-780S-4, CASE 465H-02, 4 PIN |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 562K |
| 代理商： | MRF8HP21130HSR5 |
MRF8HP21130HR3 MRF8HP21130HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
PA
RC
(d
B)
2060
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout = 28 Watts Avg.
--2.8
--2
--2.2
--2.4
--2.6
12.8
14.8
14.6
14.4
--37
48
47
46
45
--32
--33
--34
--35
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B) 14.2
14
13.8
13.6
13.4
13.2
13
2080
2100
2120
2140
2160
2180
2200 2220
44
--36
--3
AC
PR
(d
Bc)
PARC
Figure 4. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
10
--60
--10
--20
--30
--50
1
100
IM
D,
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
--40
IM3--U
IM3--L
IM5--U
IM5--L
IM7--L
IM7--U
VDD =28 Vdc,Pout = 52 W (PEP), IDQB = 360 mA
VGSA = 0.4 Vdc, Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2140 MHz
Figure 5. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
--1
--3
--5
20
0
--2
--4
OU
TPU
T
CO
MPR
ESSION
AT
0.
01
%
PROBABILITY
ON
CCDF
(dB)
10
30
40
60
0
60
50
40
30
20
10
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
--3 dB = 34 W
50
ηD
ACPR
PARC
AC
PR
(d
Bc)
--45
--15
--20
--25
--35
--30
--40
15
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
14.5
14
13.5
13
12.5
12
Gps
VDD =28 Vdc,IDQB = 360 mA, VGSA =0.4 Vdc
f = 2140 MHz, Single--Carrier W--CDMA
Input Signal PAR = 9.9 dB
@ 0.01% Probability on CCDF
VDD =28 Vdc,Pout =28 W (Avg.),IDQB = 360 mA, VGSA =0.4 Vdc
2--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
3.84 MHz Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF
--2 dB = 26 W
--1 dB = 17 W
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MRF8P18265HR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 65V N-CH 1840MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P18265HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 260WDOHERTY NI1230S8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P18265HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 65V N-CH 1840MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20100HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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