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参数资料
| 型号： | MRF8HP21130HSR5 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, NI-780S-4, CASE 465H-02, 4 PIN |
| 文件页数： | 2/14页 |
| 文件大小： | 562K |
| 代理商： | MRF8HP21130HSR5 |
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8HP21130HR3 MRF8HP21130HSR3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8P20140WHR3 | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
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| MRF8P20160HR3 | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8P18265HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 260W DOHERT NI1230-8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P18265HR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 65V N-CH 1840MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P18265HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 260WDOHERTY NI1230S8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P18265HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 65V N-CH 1840MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20100HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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