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参数资料
| 型号： | MRF8P18265HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/14页 |
| 文件大小： | 610K |
| 描述： | FET RF N-CH 1840MHZ 30V NI1230-8 |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 1.88GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 30V |
| 电流 - 测试： | 800mA |
| 功率 - 输出： | 72W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | SOT-1110A |
| 供应商设备封装： | NI1230-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF8P18265HR6 MRF8P18265HSR6
TYPICAL CHARACTERISTICS
1
Gps
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 6. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
-- 1 0
-- 2 0
11
17
0
60
50
40
30
20
G
ps
, POWER GAIN (dB)
16
15
10 300100
10
-- 6 0
ACPR (dBc)
14
13
12
0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
Figure 7. Broadband Frequency Response
0
18
1700
f, FREQUENCY (MHz)
12
9
6
1750
GAIN (dB)
15
Gain
1800 1850 1900 1950 2000
IRL
-- 5 0
10
0
-- 1 0
-- 2 0
-- 3 0
IRL (dB)
3--40IDQA
= 800 mA
1805 MHz
1840 MHz
1880 MHz
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz
Channel Bandwidth Input Signal
PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on
CCDF
VDD
=30Vdc
Pin
=0dBm
VGSB
=1.3Vdc
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
ACPR
1880 MHz
1840 MHz
1805 MHz
VDD=30Vd
IDQA
= 800 mA
VGSB
=1.3Vdc
1805 MHz
1840 MHz
1880 MHz
W--CDMA TEST SIGNAL
246810
0.0001
100
0
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 8. CCDF W--CDMA IQ Magnitude
Clipping, Single--Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
PROBABILITY (%)
W--CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @
±5MHzOffset.
Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01%
Probability on
CCDF
Input Signal
12
-- 6 0
--100
10
(dB)
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
-- 7 0
-- 8 0
-- 9 0
3.84 MHz
Channel BW
-- 9 9-- 7 . 2
7.2
1.8 5.43.6
0
-- 1 . 8
-- 3 . 6
-- 5 . 4
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 9. Single--Carrier W--CDMA Spectrum
--ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
+ACPRin3.84MHz
Integrated BW
-- 1 0
0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRF8P18265HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 65V N-CH 1840MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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| MRF8P20100HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20100HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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