- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21720 > MRF8P18265HR6 (Freescale Semiconductor)FET RF N-CH 1840MHZ 30V NI1230-8 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF8P18265HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 3/14页 |
| 文件大小： | 610K |
| 描述： | FET RF N-CH 1840MHZ 30V NI1230-8 |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 1.88GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 30V |
| 电流 - 测试： | 800mA |
| 功率 - 输出： | 72W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | SOT-1110A |
| 供应商设备封装： | NI1230-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8P18265HR6 MRF8P18265HSR6
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S21190HSR3 | MOSFET RF N-CH 54W NI880S |
| MRF6S24140HR3 | MOSFET RF N-CHAN 28V 140W NI-880 |
| MRF6S24140HSR3 | MOSFET N-CHAN 140W 28V NI-88OS |
| B84312C112E1 | FILTER COMM LINE 0.1A 42VAC |
| MRF8S18260HR6 | MOSFET RF N-CH 260W NI1230-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8P18265HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 260WDOHERTY NI1230S8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P18265HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 65V N-CH 1840MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20100HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20100HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20100HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。