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参数资料
| 型号： | MRF8P18265HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 610K |
| 描述： | FET RF N-CH 1840MHZ 30V NI1230-8 |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 1.88GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 30V |
| 电流 - 测试： | 800mA |
| 功率 - 输出： | 72W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | SOT-1110A |
| 供应商设备封装： | NI1230-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8P18265HR6 MRF8P18265HSR6
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
Table 4. Electrical Characteristics
(TA
=25°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performance
(1)
(In Freescale Doherty Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=30Vdc, IDQA
= 800 mA, VGSB
= 1.3 V, 1805--1880 MHz
Bandwidth
Pout
@ 1 dB Compression Point, CW
P1dB
?
224
?
W
Pout
@ 3 dB Compression Point, CW
P3dB
?
280
?
W
IMD Symmetry @ 17 W PEP, Pout
where IMD Third Order
?
30 dBc
Intermodulation
(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower
Sidebands > 2 dB)
IMDsym
?
72
?
MHz
VBW Resonance Point
(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)
VBWres
?
88
?
MHz
Gain Flatness in 75 MHz Bandwidth @ Pout
=72WAvg.
GF
?
0.4
?
dB
Gain Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?G
?
0.01
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
(2)
?P1dB
?
0.005
?
dB/°C
1. Measurement made with device in a symmetrical Doherty configuration.
2. Exceeds recommended operating conditions. See
CW operation data in Maximum Ratings table.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S21190HSR3 | MOSFET RF N-CH 54W NI880S |
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| B84312C112E1 | FILTER COMM LINE 0.1A 42VAC |
| MRF8S18260HR6 | MOSFET RF N-CH 260W NI1230-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF8P18265HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 65V N-CH 1840MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20100HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20100HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20100HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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