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参数资料
| 型号： | MRF8P18265HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 13/14页 |
| 文件大小： | 610K |
| 描述： | FET RF N-CH 1840MHZ 30V NI1230-8 |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 1.88GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 30V |
| 电流 - 测试： | 800mA |
| 功率 - 输出： | 72W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | SOT-1110A |
| 供应商设备封装： | NI1230-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF8P18265HR6 MRF8P18265HSR6
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
VDD
=30Vdc,IDQA
= 800 mA, Pulsed CW, 10
μsec(on), 10% Duty Cycle
Ideal
Actual
1805 MHz
28 32 36 37 3831 3934
Pin, INPUT POWER (dBm)
54
52
50
35
55
53
47
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 30 V
51
56
58
33
30
29
57
49
48
1880 MHz1805 MHz
1845 MHz
1880 MHz
1845 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
1805
197
52.9
226
53.5
1845
194
52.9
223
53.5
1880
190
52.8
226
53.5
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
?
Zload
?
1805
P1dB
2.38 -- j6.43
1.30 -- j2.46
1845
P1dB
3.70 -- j7.13
1.40 -- j2.51
1880
P1dB
4.23 -- j7.74
1.27 -- j2.55
Figure 12. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 30 V
NOTE: Measurement made on the Class AB, carrier side of the device.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S21190HSR3 | MOSFET RF N-CH 54W NI880S |
| MRF6S24140HR3 | MOSFET RF N-CHAN 28V 140W NI-880 |
| MRF6S24140HSR3 | MOSFET N-CHAN 140W 28V NI-88OS |
| B84312C112E1 | FILTER COMM LINE 0.1A 42VAC |
| MRF8S18260HR6 | MOSFET RF N-CH 260W NI1230-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8P18265HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 260WDOHERTY NI1230S8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P18265HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 65V N-CH 1840MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20100HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20100HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20100HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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