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参数资料
| 型号： | MRF8P9300HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/18页 |
| 文件大小： | 837K |
| 描述： | FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-1230H |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 960MHz |
| 增益： | 19.4db |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 2.4A |
| 功率 - 输出： | 100W |
| 电压 - 额定： | 70V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8P9300HR6 MRF8P9300HSR6
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics
(TA
=25°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 2400 mA, 920--960 MHz Bandwidth
Pout
@ 1 dB Compression Point, CW
P1dB
?
326
?
W
IMD Symmetry @ 310 W PEP, Pout
where IMD Third Order
?
30 dBc
Intermodulation
(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower
Sidebands > 2 dB)
IMDsym
?
17
?
MHz
VBW Resonance Point
(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)
VBWres
?
30
?
MHz
Gain Flatness in 40 MHz Bandwidth @ Pout
= 100 W Avg.
GF
?
0.16
?
dB
Gain Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?G
?
0.012
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?P1dB
?
0.008
?
dBm/°C
Typical Broadband Performance ? 880 MHz
(In Freescale 880 MHz Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 2400 mA, Pout
=
100 W Avg., Single--Carrier W--CDMA, IQ
Magnitude Clipping, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF. ACPR measured in
3.84 MHz Channel Bandwidth @
±5MHzOffset.
Frequency
Gps
(dB)
ηD
(%)
Output PAR
(dB)
ACPR
(dBc)
IRL
(dB)
865 MHz
20.5
35.2
6.0
--36.1
-- 11
880 MHz
20.7
36.0
6.0
--36.1
-- 1 4
895 MHz
20.6
37.0
6.0
--35.8
-- 1 6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3224W-1-201E | TRIMMER 200 OHM 0.25W SMD |
| B84312F100B3 | FILTER COMM LINE 1A 100VAC |
| 158X153 | CAP FILM 0.015UF 275VAC RADIAL |
| B84312C90B4 | FILTER COMM LINE 0.1A 100VAC |
| MC18FA471G-TF | CAP MICA 470PF 100V 2% 1812 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8P9300HR6_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| MRF8P9300HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8-900 100W 28V NI1230HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P9300HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8-900 100W 28V NI1230HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S18120HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 1.8GHZ 120W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S18120HR3_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
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