- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21720 > MRF8P9300HR6 (Freescale Semiconductor)FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-1230H PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF8P9300HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 3/18页 |
| 文件大小： | 837K |
| 描述： | FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-1230H |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 960MHz |
| 增益： | 19.4db |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 2.4A |
| 功率 - 输出： | 100W |
| 电压 - 额定： | 70V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8P9300HR6 MRF8P9300HSR6
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS ? 865--895 MHz
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
820
IRL
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 14. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 100 Watts Avg.
-- 1 0
-- 2 0
17
22
-- 4 0
44
41
38
-- 3 2
-- 3 4
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
21.5
VDD=28Vdc,Pout
= 100 W (Avg.)
IDQ
= 2400 mA, Single--Carrier W--CDMA
21
20.5
840 860 880 900 920 940 960 980
-- 3 0
-- 2 5
PARC
PARCz (dB)
-- 2
-- 0 . 5
-- 1
-- 3
ACPR (dBc)
20
19.5
0
18.5
18
17.5
19
35
32
-- 3 6
-- 3 8
-- 5
-- 1 5
-- 1 . 5
-- 2 . 5
Gps
3.84 MHz Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on
CCDF
1
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 15. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
-- 1 0
16
22
0
60
50
40
30
20
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
10 100 300
10
-- 6 0
ACPR (dBc)
21
20
0
-- 2 0
Figure 16. Broadband Frequency Response
0
24
620
f, FREQUENCY (MHz)
VDD
=28Vdc
Pin
=0dBm
IDQ
= 2400 mA
12
4
690
GAIN (dB)
20
Gain
760 830 1040900 970 1110 1180
IRL
-- 2 4
0
-- 8
-- 1 2
-- 1 6
IRL (dB)
-- 2 0
19
18
17
-- 5 0
-- 4 0
-- 3 0
865 MHz
8
16
-- 4
Gps
880 MHz
895 MHz
865 MHz
880 MHz
895 MHz
Input Signal PAR = 7.5 dB
@ 0.01% Probability on
CCDF
VDD=28Vdc,IDQ
= 2400 mA, Single--Carrier W--CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3224W-1-201E | TRIMMER 200 OHM 0.25W SMD |
| B84312F100B3 | FILTER COMM LINE 1A 100VAC |
| 158X153 | CAP FILM 0.015UF 275VAC RADIAL |
| B84312C90B4 | FILTER COMM LINE 0.1A 100VAC |
| MC18FA471G-TF | CAP MICA 470PF 100V 2% 1812 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8P9300HR6_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| MRF8P9300HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8-900 100W 28V NI1230HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P9300HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8-900 100W 28V NI1230HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S18120HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 1.8GHZ 120W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S18120HR3_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。