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参数资料
| 型号： | MRF8P9300HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 15/18页 |
| 文件大小： | 837K |
| 描述： | FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-1230H |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 960MHz |
| 增益： | 19.4db |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 2.4A |
| 功率 - 输出： | 100W |
| 电压 - 额定： | 70V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8P9300HR6 MRF8P9300HSR6
TYPICAL CHARACTERISTICS
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
820
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 100 Watts Avg.
-- 1 0
-- 2 0
14
20
-- 4 0
50
40
= 2400 mA
30
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel
-- 3 0
-- 3 5
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
19
18
17
840 860 880 900 920 940 960 980
20
-- 3 0
PARC
PARC (dB)
-- 2
0
-- 1
-- 3
ACPR (dBc)
Figure 5. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
1 10010
-- 6 0
-- 1 0
-- 2 0
-- 3 0
-- 5 0
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
-- 4 0
IM3--U
IM3--L
IM5--U
IM5--L
IM7--L
IM7--U
VDD
=28Vdc,Pout
= 310 W (PEP), IDQ
= 2400 mA
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 940 MHz
Figure 6. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-- 1
-- 3
-- 5
65
0
-- 2
-- 4
OUTPUT COMPRESSION AT 0.01%
PROBABILITY ON CCDF (dB)
45
85 105 205125 145 185165
0
60
50
ACPR
40
30
20
10
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
--1dB=80.0W
ηD
PARC
ACPR (dBc)
-- 5 0
-- 2 0
-- 2 5
-- 3 0
-- 4 0
-- 3 5
-- 4 5
21
G
ps
, POWER GAIN (dB)
20
19
18
17
16
15
Gps
VDD
=28Vdc,IDQ
= 2400 mA, f = 940 MHz
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on
CCDF
--2dB=110.0W
--3 dB = 155.2 W
16
15
0
VDD=28Vdc,Pout
= 100 W (Avg.), IDQ
Bandwidth, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on
CCDF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3224W-1-201E | TRIMMER 200 OHM 0.25W SMD |
| B84312F100B3 | FILTER COMM LINE 1A 100VAC |
| 158X153 | CAP FILM 0.015UF 275VAC RADIAL |
| B84312C90B4 | FILTER COMM LINE 0.1A 100VAC |
| MC18FA471G-TF | CAP MICA 470PF 100V 2% 1812 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8P9300HR6_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| MRF8P9300HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8-900 100W 28V NI1230HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P9300HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8-900 100W 28V NI1230HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S18120HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 1.8GHZ 120W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S18120HR3_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
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