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参数资料
| 型号： | MRF9060LR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 365K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 945MHz |
| 增益： | 17dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 450mA |
| 功率 - 输出： | 70W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-360 |
| 供应商设备封装： | NI-360 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF9060LR1 MRF9060LSR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
10 100
6
8
10
12
14
16
18
?60
?40
?20
0
20
40
60
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 8. Power Gain, Efficiency, and IMD
versus Output Power
, DRAIN EFFICIENCY (%)
Gps
VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 450 mA
f1 = 945 MHz
f2 = 945.1 MHz
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IMD
1
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| C3391-3.686400 | OSC 3.6864 MHZ 3.3V +/-25PPM SMD |
| MRF6S21050LSR3 | MOSFET RF N-CH 28V 11.5W NI-400S |
| MIN02-002DC320J-F | CAP MICA 32PF 300V 5% SMD |
| MRF7S19080HSR3 | MOSFET RF N-CH NI-780S |
| ST5ETW501 | TRIMMER 500 OHM 0.25W SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF9060LR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF9060LR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 60W 1GHZ RFPWR FET NI360 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF9060LSR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 60W 945MHZ NI360S LOW AU RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF9060LSR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF9060LSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 60W RF PWR FET NI360LS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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