参数资料
型号: MRF9060LR1
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 8/12页
文件大小: 365K
描述: IC MOSFET RF N-CHAN NI-360
标准包装: 500
晶体管类型: LDMOS
频率: 945MHz
增益: 17dB
电压 - 测试: 26V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 450mA
功率 - 输出: 70W
电压 - 额定: 65V
封装/外壳: NI-360
供应商设备封装: NI-360
包装: 带卷 (TR)
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF9060LR1 MRF9060LSR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 2. 930 - 960 MHz Broadband Test Circuit Component Layout
CUT OUT AREA
WB1
C1
C2
C3
C4
C6
C7
WB2
C9
C8
C10
C5
C11
C12
C14
C13
C15 C16
C17
L1
L2
B1
B2
900 MHz
Rev?02
VDD
VGG
MRF9060
INPUT
OUTPUT
Freescale has begun the transition of marking Printed Circuit Boards (PCBs) with the Freescale Semiconductor
signature/logo. PCBs may have either Motorola or Freescale markings during the transition period. These changes will have
no impact on form, fit or function of the current product.
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PDF描述
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参数描述
MRF9060LR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF9060LR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 60W 1GHZ RFPWR FET NI360 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF9060LSR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 60W 945MHZ NI360S LOW AU RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF9060LSR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF9060LSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 60W RF PWR FET NI360LS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray